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3D NAND，1000層競爭加速
- 據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數據以及AI人工智能的發展，以SSD為代表的大容量存儲產品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
- 關鍵字： NAND Flash 存儲芯片 鎧俠
第二季NAND Flash合約價季漲13~18%，Enterprise SSD漲幅最高
- TrendForce集邦咨詢表示，除了鎧俠（Kioxia）和西部數據（WDC）自今年第一季起提升產能利用率外，其它供應商大致維持低投產策略。盡管第二季NAND Flash采購量較第一季小幅下滑，但整體市場氛圍持續受供應商庫存降低，以及減產效應影響，預估第二季NAND Flash合約價將強勢上漲約13~18%。eMMC方面，中國智能手機品牌為此波eMMC最大需求來源，由于部分供應商已降低供應此類別產品，中國模組廠出貨大幅提升。買方為了滿足生產需求開始擴大采用模組廠方案，助益中國模組廠技術進一步升級及
- 關鍵字： TrendForce NAND Flash Enterprise SSD
西部數據NAND Flash業務拆分最新進展，新任CEO揭曉
- 月5日，西部數據宣布，在NAND Flash業務拆分后，將保留原名，專注經營核心HDD業務，并表示這一分拆過程有望在2024年下半年完成。與此同時，將為即將分拆的閃存和傳統硬盤業務任命CEO。西部數據稱，現任西部數據全球運營執行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨立 HDD公司的CEO，繼續以西部數據的身份運營?，F任CEO David Goeckeler則受命轉往NAND Flash部門成立的新公司，出任新公司執行長。圖片來源：西部數據西部數據與鎧俠合并進展如何？據悉，自2021年以來，西部數據及
- 關鍵字： 閃存芯片 NAND Flash 西部數據
淺談因電遷移引發的半導體失效
- 前言半導體產品老化是一個自然現象，在電子應用中，基于環境、自然等因素，半導體在經過一段時間連續工作之后，其功能會逐漸喪失，這被稱為功能失效。半導體功能失效主要包括：腐蝕、載流子注入、電遷移等。其中，電遷移引發的失效機理最為突出。技術型授權代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對這一現象進行了分析。?1、?背景從20世紀初期第一個電子管誕生以來，電子產品與人類的聯系越來越緊密，特別是進入21世紀以來，隨著集成電路的飛速發展，人們對電子產品的需求也變得愈加豐富。隨著電子
- 關鍵字： 電遷移 半導體失效 世健 Microchip Flash FPGA
一季度 NAND Flash合約價預計上漲15%-20%
- 供應商為了盡量減少損失，正在推高 NAND Flash 價格。
- 關鍵字： NAND Flash
閃存芯片將掀起新一輪漲價潮
- 2023 下半年，以 DRAM 和 NAND Flash 為代表的存儲器報價逐步止跌回升。近期，NOR Flash 也呈現出明顯的回暖態勢，供應鏈人士透露，2024 年 1 月，預計 NOR Flash 價格將上漲 5%，并保持上漲態勢，到第二季度，漲幅將達到 10%。過去幾年，隨著整個半導體市場的變化，NOR Flash 的供需和價格也是起起落落。2018 年，NOR Flash 市場需求較為疲軟，而供貨商的產能卻在持續提升，導致當年的價格進入下行周期。經過一年的低迷期后，NOR Flash 價格在 2
- 關鍵字： NOR Flash
預估2024年第一季NAND Flash合約價平均季漲幅15~20%
- 據TrendForce集邦咨詢研究顯示，盡管適逢傳統淡季需求呈現下降趨勢，但為避免缺貨，買方持續擴大NAND Flash產品采購以建立安全庫存水位，而供應商為減少虧損，對于推高價格勢在必行，預估2024年第一季NAND Flash合約價季漲幅約15~20%。值得注意的是，NAND Flash原廠為減少虧損而急拉價格漲幅，但由于短期內漲幅過高，需求腳步卻跟不上，后續價格上漲仍需仰賴Enterprise SSD拉貨動能恢復。2024年第一季供應商的投產步伐不一，隨著部份供應商產能利用率提早拉升
- 關鍵字： NAND Flash TrendForce
DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
- IT之家 12 月 21 日消息，根據韓媒 ETNews 報道，三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導體設備投資。三星計劃投資 27 萬億韓元（IT之家備注：當前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預算增加 25%；而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬億韓元（當前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長 100%。報道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導體設備投資之外，還提高了 2024 年的產能目標。報道稱三星將 DRAM 和 NAND
- 關鍵字： 存儲 DRAM NAND Flash
集邦咨詢稱 2024Q1 手機 DRAM、eMMC / UFS 均價環比增長 18-23%
- IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢近日發布報告，預估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環比增長 18-23%，而且不排除進一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國智能手機 OEM 的生產規劃依然穩健，由于存儲器價格漲勢明確，帶動買方積極擴大購貨需求，以建設安全且相對低價的庫存水位。集邦咨詢認為買賣雙方庫存降低，加上原廠減產效應作用，這兩大因素促成這一波智能手機存儲器價格的強勁漲勢。集邦咨詢認為明年第 1 季
- 關鍵字： 存儲 DRAM NAND Flash
明年半導體暴增20%，哪些賽道市場回暖？
- 今年的半導體可謂寒風瑟瑟，市場下滑的消息從年頭傳到年尾，半導體企業也疲于應對蕭瑟的市場環境，不斷傳出減產、虧損的消息。熬過冬就是春，最近的半導體市場總算是迎來了一些好消息。IDC 最新的預測，認為半導體市場已經觸底，明年開始半導體將會加速恢復增長。在它的預測中，2023 年全球半導體市場收入從 5188 億美元上調至 5265 億美元，2024 年收入預期也從 6259 億美元上調至 6328 億美元。到明年，全球半導體收入將同比增長 20.2%。IDC 全球半導體供應鏈技術情報研究經理 Rudy Tor
- 關鍵字： NAND flash 射頻前端 CPU 模擬芯片
市況好轉 內存廠Q3獲利嗨
- NAND Flash現貨價于8月中旬反彈，DRAM價格也在9月開始回升，內存市況確立好轉，帶動內存族群獲利能力普遍呈現攀升。觀察第三季內存族群財報，內存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內存模塊廠創見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財務指標來看，第三季財報數字呈現「三率三升」的內存廠商，則有創見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財務成績表現亮眼。此外，威剛14日公告10月自結財務數
- 關鍵字： 內存 ?NAND Flash DRAM
兆易創新車規閃存產品成功應用于懸架控制器，在奇瑞多款車型實現量產
- 兆易創新GigaDevice宣布，搭載了兆易創新GD25F128F車規級SPI NOR Flash的明然科技國產化主動懸架控制器（CDC）出貨量已超數萬臺，并在奇瑞瑞虎9和星途瑤光等車型上量產。在汽車底盤懸架系統等安全性要求較高的場景中穩定運行，標志著兆易創新車規級SPI NOR Flash的可靠性得到進一步驗證。懸架是車架（或車身）與車轎（或車輪）之間的傳力連接裝置，分為傳統被動式、半主動式和主動式三類，而主動式懸架系統能根據車輛的運動狀態和路面情況自適應調節減振器阻尼力，使其更好地適用于當前路段，懸架
- 關鍵字： 兆易創新 懸架控制器 SPI NOR Flash
預估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價均上漲
- 據TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來獲利表現均較其他DRAM產品低，因此成為本次的領漲項目。季漲幅擴大包括幾個原因，供應方面：三星擴大減產、美光祭出逾20%的漲幅等，持續奠定同業漲價信心的基礎。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統旺季帶動，華為Mate
- 關鍵字： Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
第四季NAND Flash合約價季漲幅預估8~13%
- 據TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示，由于供應商嚴格控制產出，NAND Flash第四季合約價全面起漲，漲幅約8~13%。展望2024年，除非原廠仍能維持減產策略，且服務器領域對Enterprise SSD需求回溫，否則在缺乏需求作為支撐的前提下，NAND Flash要延續漲勢將有難度。Client SSD方面，由于原廠及模組廠均積極漲價，促使PC OEM欲在價格相對低點預備庫存，采購量會較實際需求量高。而供應商為擴大位元出貨量，已在第三季推出促銷，故Client SSD價格沒有
- 關鍵字： NAND Flash TrendForce
flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應管構成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術，內部是相對靜態的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術發展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。
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